台积电优势★✿,贝博★✿,半导体产业链★✿!半导体保险元件★✿,9月26日★✿,据晶盛机电(300316.SZ)官方微信号消息★✿,首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线★✿,至此★✿,浙江晶瑞SuperSiC真正实现了从晶体生长★✿、加工到检测环节的全线%国产化★✿,标志着晶盛机电在全球SiC衬底技术从并跑向领跑迈进★✿,迈入高效智造新阶段★✿。
SiC是第三代半导体材料的核心代表含羞草实验研究所入口免费网站直接进★✿,因其耐高压★✿、高频★✿、高效等特性含羞草实验研究所入口免费网站直接进ballbet贝博体育app下载★✿,广泛应用于新能源汽车★✿、智能电网★✿、5G通信等重点行业★✿。同时含羞草实验研究所入口免费网站直接进★✿,在AR设备★✿、CoWoS先进封装中间基板等新兴应用领域★✿,SiC也正逐步成为推动技术突破的关键材料★✿。相较于8英寸产品★✿,12英寸产品单片晶圆芯片产出量增加约2.5倍★✿,能够在大规模生产中显著减少长晶★✿、加工★✿、抛光等环节的单位成本★✿,是大幅降低下游应用成本的关键路径★✿。
随着首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线★✿,自此★✿,晶盛机电正式形成了12英寸SiC衬底从装备到材料的完整闭环★✿,彻底解决了关键装备“卡脖子”风险★✿,为下游产业提供了成本与效率的新基准★✿。
此次12英寸SiC中试线的正式通线是晶盛机电坚持“先进材料★✿、先进装备”双引擎发展战略的重大成果★✿,更是我国半导体高端装备制造能力的一次集中展示★✿。
中邮证券研报认为★✿,晶盛机电基于自主研发的碳化硅单晶生长炉以及持续迭代升级的8-12英寸长晶工艺★✿,经过多年的技术攻关★✿,创新晶体生长温场设计及气相原料分布工艺ballbet贝博体育app下载★✿,攻克12英寸碳化硅晶体生长中的温场不均★✿、晶体开裂等核心难题含羞草实验研究所入口免费网站直接进★✿,实现了12英寸超大尺寸晶体生长的技术突破★✿,成功长出12英寸导电型碳化硅晶体★✿。同时★✿,积极推进8英寸碳化硅衬底在全球的客户验证★✿,送样客户范围大幅提升★✿,产品验证进展顺利★✿,并成功获取部分国际客户批量订单★✿。
公司积极布局碳化硅产能★✿,在上虞布局年产30万片碳化硅衬底项目★✿;并基于全球碳化硅产业的良好发展前景和广阔市场★✿,在马来西亚槟城投建8英寸碳化硅衬底产业化项目★✿,进一步强化公司在全球市场的供应能力★✿;同时★✿,在银川投建年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目★✿,不断强化公司在碳化硅衬底材料领域的技术和规模优势ballbet贝博体育app下载★✿。
基于产业链核心设备的国产化突破含羞草实验研究所入口免费网站直接进含羞草实验研究所入口免费网站直接进★✿,公司在检测★✿、离子注入★✿、激活★✿、氧化ballbet贝博体育app下载★✿、减薄★✿、退火等工艺环节积极布局产品体系★✿,以高标准研发目标★✿,逐步实现碳化硅设备产业化市场突破★✿。公司6-8英寸碳化硅外延设备实现国产替代并市占率领先★✿。公司碳化硅设备客户包括瀚天天成★✿、东莞天域★✿、芯联集成★✿、士兰微等行业头部企业★✿。
数据显示★✿,受益于半导体行业持续发展及国产化进程加快ballbet贝博体育app下载★✿,公司半导体业务持续发展★✿,截至2025年6月30日★✿,公司未完成集成电路及化合物半导体装备合同超37亿元(含税)★✿。
据QYResearch调研团队最新报告“中国碳化硅功率模块市场报告2025-2031”显示★✿,预计2031年中国碳化硅功率模块市场规模将达到40.8亿美元★✿,未来几年年复合增长率CAGR为20.0%★✿。
晶盛机电称★✿,未来★✿,公司将加速推进产线的量产进程★✿,为客户提供高质量含羞草实验研究所入口免费网站直接进★✿、低成本的大尺寸碳化硅衬底★✿,携手产业链伙伴★✿,共同推动我国第三代半导体产业蓬勃发展★✿。